RAM 简记

RAM(Random Access Memory),即随机访问存储器。其内部存储单元的内容可按需随意的取出或存入,且存、取的速度与存储单元在存储芯片中的位置无关。不过这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。一些典型的RAM芯片种类分别介绍如下:

SRAM(Static Random Access Memory),即静态随机访问存储器。它是一种具有静态存、取功能的内存,即不需要任何额外电路的情况下,就能够将其内部存储的数据保持很长时间不会丢失。优点是性能高、速度快,但缺点就是为了能够长时间的保持数据,其内部存储单元电路往往结构较为复杂(通常为六管的NMOS),所以SRAM芯片的集成度往往较低,且价格往往较高。

DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机访问存储器。它与SRAM最大的区别就是只能将数据保持很短的一段时间,因此为了延长数据的保存时间,必须要配合使用专门的刷新电路。通常来说,DRAM芯片每隔一段时间就必须要刷新充电一次,否则其内部存取的数据将会因为慢慢的放电效应而丢失,因此它的缺点就是相比于SRAM芯片性能较低。但是DRAM不能长时间保存数据的原因是它简化了存储单元电路的结构(通常为三管NMOS甚至单管NMOS),故其主要的优点就是集成度高,因此其等容量的价格也更便宜。

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),即同步动态随机访问存储器。其中,同步是指存储器在工作的时候需要同步时钟信号,无论存储芯片内部命令的发送还是数据的传输,都必须以时钟信号为基准;而动态是指存储阵列需要不断刷新来保证数据不丢失,因此,SDRAM是DRAM的一个分支。

SDRAM芯片的发展已经经历了很多代,分别是——第一代的SDR SDRAM、第二代的 DDR SDRAM、第三代的 DDR2 SDRAM,第四代的DDR3 SDRAM...截止到今天,很多显卡芯片中都已采用了DDR5 SDRAM。

其中,新一代的SDRAM采用的是SDR接口,而接下来的几代由于工作频率比较快,所以均采用了可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟,并且都是基于DDR接口的。这些接口的内容后面也会有相应的博文介绍。

本文内容来自《FPGA之道》

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